Найдено 32 товара
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В