Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В