Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-38, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-70, напряжение 1.25 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-68, напряжение 1.2 В