Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-80, напряжение 1.25 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 20T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В