Найдено 434 товара
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 530/470 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 530/470 MBps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2350 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2350 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0 (NGFF)
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0 (NGFF)
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/800 МБайт/с, случайный доступ: 530000/32000 IOps, SLC-кэш
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/800 МБайт/с, случайный доступ: 530000/32000 IOps, SLC-кэш
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
1 ТБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps
1 ТБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3000 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3000 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
512 ГБ, mSATA, SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND
512 ГБ, mSATA, SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер